| 
  ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ, квантовый 
  эффект, состоящий в проникновении квантовой частицы сквозь область пространства, 
  в к-рой согласно законам классич. физики нахождение частицы запрещено. Классич. 
  частица, обладающая полной энергией E и находящаяся в потенц. поле, может 
  пребывать лишь в тех областях пространства, в к-рых ее полная энергия не превышает 
  потенц. энергию U взаимодействия с полем. Поскольку волновая ф-ция квантовой 
  частицы отлична от нуля во всем пространстве и вероятность нахождения частицы 
  в определенной области пространства задается квадратом модуля волновой ф-ции, 
  то и в запрещенных (с точки зрения классич. механики) областях волновая ф-ция 
  отлична от нуля. 
   
 T. э. удобно иллюстрировать 
  на модельной задаче об одномерной частице в поле потенциала U(x) (x - 
  координата частицы). В случае симметричного двухъямного потенциала (рис. а)волновая ф-ция должна "умещаться" внутри ям, т. е. она представляет 
  собой стоячую волну. Дискретные энерге-тич. уровни, к-рые расположены ниже барьера, 
  разделяющего минимумы потенциала, образуют близко расположенные (почти вырожденные) 
  пары. Разность энергетич. уровней, составляющих пару, наз. туннельным расщеплени-е 
  м, эта разность обусловлена тем, что точное решение задачи (волновая ф-ция) 
  для каждого из квантовых состояний дело-кализовано в обоих минимумах потенциала 
  и все точные решения отвечают невырожденным уровням (см. Вырождение энергетических 
  уровней). Вероятность T. э. определяется коэффициентом прохождения сквозь 
  барьер волнового пакета, к-рый описывает нестационарное состояние частицы, локализованной 
  в одном из минимумов потенциала. 
   
   
   
   
   
   
   
 Кривые потенц. энергии 
  U (х)частицы в случае, когда на нее действует сила притяжения (а - две 
  потенц. ямы, б - одна потенц. яма), и в случае, когда на частицу действует 
  сила отталкивания (отталкивательный потенциал, в). E -полная энергия 
  частицы, х - координата. Тонкими линиями изображены волновые ф-ции. 
   
 В потенц. поле с одним 
  локальным минимумом (рис. б)для частицы с энергией E, большей 
  потенциала взаимодействия при c = , 
  дискретные энергетич. состояния отсутствуют, но существует набор квазистационарных 
  состояний, в к-рых велика относит. вероятность нахождения частицы вблизи минимума. 
  Волновые пакеты, отвечающие таким квазистационарным состояниям, описывают метастабильные 
  квантовые состояния; волновые пакеты расплываются и исчезают вслед-ствии T. 
  э. Эти состояния характеризуются временем жизни (вероятностью распада) и шириной 
  энергетич. уровня. 
   
 Для частицы в отталкивательном 
  потенциале (рис. в)волновой пакет, описывающий нестационарное состояние 
  по одну сторону от потенц. барьера, даже если энергия частицы в этом состоянии 
  меньше высоты барьера, может с определенной вероятностью (наз. вероятностью 
  проникновения или вероятностью туннелирования) проходить по др. сторону барьера. 
   
 Наиб. важные для химии 
  проявления T. э.: 1) туннельные расщепления дискретных колебат., вращат. и электронно-ко-лебат. 
  уровней. Расщепления колебат. уровней в молекулах с неск. эквивалентными равновесными 
  ядерными конфигурациями - это инверсионное удвоение (в молекулах типа аммиака), 
  расщепление уровней в молекулах с заторможенным внутр. вращением (этан, толуол) 
  или в нежестких молекулах, для к-рых допустимы внутримол. перегруппировки, 
  приводящие к эквивалентным равновесным конфигурациям (напр., PF5). 
  Если разл. эквивалентные минимумы на поверхности потенциальной энергии оказываются 
  разделенными потенц. барьерами (напр., равновесные конфигурации для право- и 
  левовращающих изомеров сложных молекул), то адекватное · описание реальных 
  мол. систем достигается с помощью, локализованных волновых пакетов. В этом случае 
  пара дело-кализованных в двух минимумах стационарных состояний неустойчива: 
  под действием очень малых возмущений возможно образование двух состояний, локализованных 
  в том или ином минимуме. 
   
 Расщепление квазивырожденных 
  групп вращат. состояний (т. наз. вращательных к л а с т е r о в) также 
  обусловлено туннелированием мол. системы между окрестностями неск. эквивалентных 
  стационарных осей вращения. Расщепление электронно-колебат. (вибронных) состояний 
  происходит в случае сильных Яна - Теллера эффектов. С туннельным расщеплением 
  связано и существование зон, образуемых электронными состояниями отдельных атомов 
  или мол. фрагментов в твердых телах с периодич. структурой. 
   
 2) Явления переноса частиц 
  и элементарных возбуждений. Данная совокупность явлений включает нестационарные 
  процессы, описывающие переходы между дискретными состояниями и распад квазистационарных 
  состояний. Переходы между дискретными состояниями с волновыми ф-циями, локализованными 
  в разл. минимумах одного адиабатич. потенциала, соответствуют разнообразным 
  хим. р-циям. T. э. всегда вносит нек-рый вклад в скорость р-ции, однако этот 
  вклад существен только при низких т-рах, когда надбарьер-ный переход из исходного 
  состояния в конечное маловероятен из-за низкой заселенности соответствующих 
  уровней энергии. T. э. проявляется в неаррениусовском поведении скорости r-ции; 
  характерный пример - рост цепи при ради-ационно-инициированной полимеризации 
  твердого формальдегида. Скорость этого процесса при т-ре ок. 140 К удовлетворительно 
  описывается законом Аррениуса с энергией активации 0,1 эВ. Однако при т-рах 
    12 К 
  достигается скорость р-ции, к-рая не зависит от т-ры, определяется T. э. и оказывается 
  на много порядков выше скорости, к-рую можно было бы ожидать при той же т-ре 
  в предположении справедливости надбарьерного механизма р-ции (см. Криохимия). 
   
 Распад метастабильных состояний 
  лежит в основе целого ряда явлений. К ним относятся, в частности, ос-распад 
  (см. Радиоактивность), колебат. и вращат. предиссоциациА, автоионизация 
  атомов в сильном электрич. поле, ионизация атомов и молекул в сильном электромагн. 
  поле. Туннельное прохождение электронов из одного проводника (или полупроводника) 
  в другой через слой изолятора (туннельный ток) является макроскопич. эффектом, 
  обусловленным T. э. Это явление лежит в основе туннельной сканирующей микроскопии 
  твердых тел. 
   
  === Исп. литература для статьи «ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ»:  Гольданский 
 
  В.И., Трахтенб ерг Л.И., Флеров В.П., Туннельные явления в химической физике, 
  M., 1986; Ландау Л. Д., Лиф-шиц E. M., Квантовая механика. Нерелятивистская 
  теория, 4 изд., M., 1989. 
   
 Б.И. Жилинский. 
   
Страница «ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ» подготовлена по материалам химической энциклопедии. 
 |