НА ГЛАВНУЮ 

КОТАКТЫ  

АНАЛИТИЧЕСКИЙ ПОРТАЛ ХИМИЧЕСКОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
ПОИСК    
СОДЕРЖАНИЕ:

НАУКА и ТЕХНОЛОГИИ

Базовая химия и нефтехимия

Продукты оргсинтеза ............

Альтернативные топлива, энергетика ...........................

Полимеры ...........................

ТЕНДЕНЦИИ РЫНКА

Мнения, оценки ...................

Законы и практика ...............

Отраслевая статистика .........

ЭКОЛОГИЯ

Промышленная безопасность

Экоиндустрия .......................

Рециклинг ............................

СОТРУДНИЧЕСТВО

Для авторов .........................

Реклама на сайте ................

Контакты .............................

Справочная .........................

Партнеры ............................

СОБЫТИЯ ОТРАСЛИ

Прошедшие мероприятия .....

Будущие мероприятия ...........

ОБЗОРЫ РЫНКОВ

Исследование рынка ламинированного спанбонда в России
Исследование рынка вискозного волокна в России
Исследование рынка спанбонда с клеевым слоем в России
Исследование рынка нитрильных перчаток в России
Исследование рынка респираторов в России
Исследование рынка медицинских масок в России
Исследование рынка нетканого СМС материала в России
Исследование рынка мелтблауна в России
Исследование рынка нетканых материалов для медицины и гигиены
Исследование рынка каменной бумаги в России

>> Все отчеты

ОТЧЕТЫ ПО ТЕМАМ

Базовая химия и нефтехимия
Продукты оргсинтеза
Синтетические смолы и ЛКМ
Нефтепереработка
Минеральные удобрения
Полимеры и синтетические каучуки
Продукция из пластмасс
Биохимия
Автохимия и автокосметика
Смежная продукция
Исследования «Ad Hoc»
Строительство
In English

СЛОВАРЬ ТЕРМИНОВ

ПОИСК В РАЗДЕЛЕ    

Алфавитный указатель: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

РТУТИ ХАЛЬКОГЕНИДЫ, соед. Hg с S, Se, Те общей ф-лы HgX (табл. 1). Сульфид HgS существует в двух модификациях-a (киноварь) и b (метациннабарит); т-ра перехода a4056-35.jpgb 345 °С, АН перехода 14,6 кДж/моль. b-HgS, HgSe, HgTe кристаллизуются в решетке типа сфалерита, при давлении 1,5-2,0 ГПа HgSe и HgTe имеют кристаллич. решетку типа a-HgS.

Р. х.-нестехиометрич. соединения. Область гомогенности HgSe 49,99-50,00 ат.% Hg при 280 °С (по др. данным наблюдается отклонение от стехиометрии в сторону большего содержания Hg). Область гомогенности HgTe 49,40-49,95 ат.% Hg при 400 °С, 49,40-50,009 ат.% Hg при 353 °С. Для Р.х. преобладающие типы дефектов - вакансии Hg, халькогенов, атомы Hg в межузельном пространстве.

4056-36.jpg

Теллурид-полупроводник р- и n-типа, HgSe, HgS-n-типа. Р. х. обладают уникальными физ. св-вами. HgTe имеет практически нулевую запрещенную зону (величина перекрывания валентной зоны и зоны проводимости 0,001 эВ, для HgSe эта величина 0,07 эВ). Для a-HgS ширина запрещенной зоны 2,0 эВ.

Р. х. практически не раств. в воде, орг. р-рителях, разб. к-тах, разлагаются царской водкой. HgS реагирует с конц. р-рами сульфидов щелочных металлов с образованием тиосолей М2HgS2, что используют для извлечения Hg из сульфидных руд.

При натр. в вакууме Р. х. легко испаряются, диссоциируя на Hg и X, доля молекул HgX в паре ок. 1·10-4; ур-ние температурной зависимости давления пара HgX: lgp (мм рт.ст.) = /Т+ В (табл. 2)

4056-37.jpg

При нагр. на воздухе Р. х. реагируют с О2; по р-ции HgS + О2 : Hg + SO2 в пром-сти получают Hg из киновари. С галогенидами HgHal2 P.x. образуют соед. Hg3X2Hal2, с халькогенидами Al, Ga, In-полупроводниковые соед. типа HgM2X4. На основе Р. х. получают твердые р-ры типа Hg1-xМxX, HgTe1-xXx, HgSe1-xXx, где M-Zn, Cd, Мn и др., x-содержание X в атомных долях. Многие из этих р-ров - бесщелевые полупроводники, применяют Нg1-xСdxTе.

Р. х. получают взаимод. Hg и халькогена при нагр. в запаянных вакуумир. кварцевых ампулах, монокристаллы -сублимацией или выращиванием из нестехиометрич. расплавов HgX в ртути, a-HgS - растиранием Hg с S, a-HgS и b-HgS осаждением из водных р-ров солей Hg.

В природе киноварь - осн. минерал ртути; известны и редкие минералы - метациннабарит, тиманит HgSe, колорадоит HgTe.

Прир. киноварь-осн. пром. сырье в произ-ве Hg. Сульфид HgS-материал для фоторезисторов, катализатор, пигмент, компонент светосоставов на основе CdS; HgSe - материал для фоторезисторов, датчиков для измерения магн. полей; HgTe-компонент материалов для приемников ИК излучения.

Р. х. токсичны, особенно их аэрозоли и р-ры.


===
Исп. литература для статьи «РТУТИ ХАЛЬКОГЕНИДЫ»:
Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе, М., 1975, с. 48-82. И. Н. Один.

Страница «РТУТИ ХАЛЬКОГЕНИДЫ» подготовлена по материалам химической энциклопедии.

Куплю

19.04.2011 Белорусские рубли в Москве  Москва

18.04.2011 Индустриальные масла: И-8А, ИГНЕ-68, ИГНЕ-32, ИС-20, ИГС-68,И-5А, И-40А, И-50А, ИЛС-5, ИЛС-10, ИЛС-220(Мо), ИГП, ИТД  Москва

04.04.2011 Куплю Биг-Бэги, МКР на переработку.  Москва

Продам

19.04.2011 Продаем скипидар  Нижний Новгород

19.04.2011 Продаем растворители  Нижний Новгород

19.04.2011 Продаем бочки новые и б/у.  Нижний Новгород

Rambler's Top100
Copyright © Newchemistry.ru 2006. All Rights Reserved